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IRFHS9301TR/TR2PbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-8.0V
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
-2.8V
100
TOP
BOTTOM
VGS
-10V
-8.0V
-5.0V
-4.5V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
-2.8V
10
10
1
0.1
-2.8V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
-2.8V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.6
10
1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
1.4
1.2
1.0
ID = -7.8A
VGS = -10V
0.1
VDS = -15V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
0.8
0.6
1
2
3
4
5
6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 KHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
14
12
10
8
ID= -7.8A
VDS= -24V
VDS= -15V
VDS= -6V
Coss
6
100
10
Crss
4
2
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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